Список микроэлектронных производств

Основная статья: Полупроводниковая промышленность

В данном списке собраны некоторые крупнейшие промышленные фабрики, производящие микроэлектронную технику. Указаны только действующие фабрики, занимающиеся изготовлением полупроводниковых структур СБИС. Для части фабрик указаны заявленные компаниями максимальные производительности.

В России и СНГ

Основная статья: Электронная промышленность России

Микроэлектронное производство в России[1]:

Компания Название фабрики Местоположение Примерная стоимость Начало производства Диаметр пластин, мм Техпроцесс, нм Производительность, пластин в месяц
НМ-Тех бывший завод Ангстрем-Т[1] ([2][3][4][5]) Зеленоград 45 млрд рублей[6] + 355 млн рублей + 8,4 млрд рублей 05 августа 2016 года производство начато[7]. 2019 - остановка в связи с банкротством. 2023 - планируется возобновление 200 [6] 250-110[2][6] (возм. до 90 нм) 20000 [2][6]
Ангстрем Линия 150 Зеленоград 150 600 (КНС/КНИ) 8000[8]
Линия 100 Зеленоград 100 1200 (КНС) 4000[8]
НИИМЭ и Микрон Микрон Зеленоград ~400 млн $[9] 2012 200 90 (массовое)

65 (опытное)

3000[10]
Микрон Зеленоград 2009[11] 200 180
Крокус Наноэлектроника (КНЭ)[1] Москва (АЗЛК) $200 млн[12] 2016[13] 200/300 90/55
только MRAM слои[14]		 до 4000
НИИИС[1] Нижний Новгород 150 Маски, MEMS, СВЧ
НПК «Технологический центр» Зеленоград 100
Исток[1] Фрязино 150 мм
Микран[1] Томск 25 марта 2015[15]. 100/150 мм 110-100/70
Группа Кремний ЭЛ[16] Брянск 19 марта 2019 500
ВЗПП-Микрон Воронеж 100/150 мм
Светлана-Полупроводники[17] Санкт-Петербург
ВЗПП-С[18] Воронеж
Синтез Микроэлектроника[19] Воронеж 200 350
НЗПП с ОКБ[20] и НПП «Восток» Новосибирск 100 мм 180/250[21]
НИИ Системных исследований РАН[22] Москва 250/350/500 мелкосерийное производство, опытные партии
Протон[23] Орёл
НПП Пульсар[24] Москва
Российские космические системы[25] Москва 76,2/100/150 1000
Росэлектроника Светлана-Рост Санкт-Петербург 50,8/76,2/100 200/500/800/1000
Светлана-Электронприбор[26] Светлана-Электронприбор Санкт-Петербург
НИИ полупроводниковых приборов[27] Томск
Центральное конструкторское бюро автоматики[28] Омск 900
ADGEX[29] Санкт-Петербург 12,5 500
АО ОКБ-Планета Великий Новгород 100 150

В Белоруссии микроэлектронное производство имеется у компании Интеграл (Минск):[30][31][32][33][34]

  • 200-миллиметровые пластины: 1 тыс. пластин в месяц по техпроцессу 0,35 мкм[32]/0,25 мкм (опытное);
  • 150-миллиметровые пластины: 10 тыс. пластин в месяц по техпроцессу 0,35 мкм; 29,5 тыс. пластин в месяц по техпроцессу 1,5 мкм
  • 100-миллиметровые пластины (техпроцесс до 2 мкм): 15 тысяч пластин в месяц

В других странах

Компания Название фабрики Местоположение Примерная стоимость, млрд долл. Начало производства Диаметр пластин, мм Техпроцесс, нм Производительность, пластин в месяц
Intel D1D[35] Хилсборо, Орегон, США 2003 300 22
Intel D1C[35] Хилсборо, Орегон, США 2001 300 32
Intel D1X[36] Хилсборо, Орегон, США 2013 300 22
Intel Fab 12[35] Чендлер, Аризона, США 1996 300 65
Intel Fab 32[35][37] Чендлер, Аризона, США 3 2007 300 45
Intel Fab 32[35][38] Чендлер, Аризона, США 300 32 / 22
Intel Fab 42[39][40] Чендлер, Аризона, США 5 2020[41] 300 10
Intel Fab 11x[35] Рио-Ранчо, Нью-Мексико, США 2002 300 32
Intel Fab 11x[35] Рио-Ранчо, Нью-Мексико, США 2002 300 45
Intel Fab 17[35] Хадсон, Массачусетс, США 1998 200
Intel Fab 10[35] Лейкслип, Ирландия 1994 200
Intel Fab 14[35] Лейкслип, Ирландия 1998 200
Intel Fab 24[35] Лейкслип, Ирландия 2006 300 65
Intel Fab 24[35] Лейкслип, Ирландия 2006 300 90
Intel Fab 28[35] Кирьят-Гат, Израиль 2008 300 45 / 22
Intel Fab 68[35][42] Далянь, Китай 2,5 2010 300 65
Motorola MOTOFAB1[43] Гвадалахара, Мексика 2002
Micron Манассас, Виргиния, США 300
GlobalFoundries Fab 1[44] Дрезден, Германия 2.5 2005 300 45 и менее 80 000
GlobalFoundries Fab 7[44] Сингапур 300 130-40 50 000
GlobalFoundries Fab 8[44][45] Мальта, Нью-Йорк, США 4.6 2012 300 28 60 000
GlobalFoundries Fab 2[46] Сингапур 200 600-350 50 000
GlobalFoundries Fab 3/5[47] Сингапур 200 350-180 54 000
GlobalFoundries Fab 3E[46] Сингапур 200 180 34 000
GlobalFoundries Fab 6[46] Сингапур 200 110 45 000
GlobalFoundries Fab 9[48] Абу-Даби, ОАЭ 2015
TSMC Fab 2[49] Синьчжу, Тайвань 150
TSMC Fab 3 Синьчжу, Тайвань 200
TSMC Fab 5 Синьчжу, Тайвань 200
TSMC Fab 6 Тайнань, Тайвань 200
TSMC Fab 8 Синьчжу, Тайвань 200
TSMC Fab 10 Шанхай, Китай 200
TSMC Fab 12 Синьчжу, Тайвань 300 28
TSMC Fab 12 Синьчжу, Тайвань 300 22
TSMC Fab 12(P4) Синьчжу, Тайвань
TSMC Fab 14 Тайнань, Тайвань 300 28
TSMC WaferTech Fab 14 Камас, Вашингтон, США 200
TSMC Fab 15[50] Тайчжун, Тайвань 2011Q4 300 28
TSMC Fab 15[50] Тайчжун, Тайвань конец 2011 300 20
TSMC Fab 16 Тайчжун, Тайвань План 300 28
UMC Fab 6A Синьчжу, Тайвань 150
UMC Fab 8AB Синьчжу, Тайвань 200
UMC Fab 8C Синьчжу, Тайвань 200
UMC Fab 8D Синьчжу, Тайвань 200
UMC Fab 8E Синьчжу, Тайвань 200
UMC Fab 8F Синьчжу, Тайвань 200
UMC Fab 8S Синьчжу, Тайвань 200
UMC Fab 12A Тайнань, Тайвань 300
UMC Fab 12 Сингапур 300
Vanguard International Semiconductor Corporation Fab 1 Синьчжу, Тайвань 200
Vanguard International Semiconductor Corporation Fab 2 Синьчжу, Тайвань 200
IM Flash IM Flash[51] Сингапур 2011.04 300 25
IM Flash IM Flash Лихай, Юта, США 300 20
IM Flash IM Flash Манассам, Виргиния, США
NXP Semiconductors DHAM[52] Гамбург, Германия
NXP Semiconductors Гирин, Китай
NXP Semiconductors Манчестер, Великобритания
NXP Semiconductors ICN8 Неймеген, Нидерланды
NXP Semiconductors SSMC Сингапур
IBM Building 323[53][54] Ист-Фишкилл, Нью-Йорк, США 2.5 2002 300
IBM Burlington Fab Эссекс-Джанкшен, Вермонт, США 200
STMicroelectronics Crolles 1 / Crolles 200 Кроль, Франция 1993 200
STMicroelectronics Crolles2 Кроль, Франция 2003 300 90
STMicroelectronics Crolles2 Кроль, Франция 300 65
STMicroelectronics Crolles2 Кроль, Франция 300 45
STMicroelectronics Crolles2 Кроль, Франция 300 32
STMicroelectronics Agrate Аграте-Брианца, Италия 200
STMicroelectronics Catania Катания, Италия 1997 200
STMicroelectronics Rousset Руссе, Франция 2000 200
CNSE NanoFab 300 North[55] Олбани, Нью-Йорк, США .175 2005 300 65
CNSE NanoFab 300 North[55] Олбани, Нью-Йорк, США 300 45
CNSE NanoFab 300 North[55] Олбани, Нью-Йорк, США 300 32
CNSE NanoFab 300 North[55] Олбани, Нью-Йорк, США 300 22
CNSE NanoFab 300 South[55] Олбани, Нью-Йорк, США .050 2004 300 22
CNSE NanoFab 200[56] Олбани, Нью-Йорк, США .016 1997 200
CNSE NanoFab Central[55] Олбани, Нью-Йорк, США .150 2009 300 22
Powerchip Semiconductor Memory Foundry[57] Синьчжу, Тайвань 300 90
Powerchip Semiconductor Memory Foundry[57] Синьчжу, Тайвань 300 70
Freescale Semiconductor ATMC[58] Остин, Техас, США 1995 200 90
Freescale Semiconductor Chandler Fab[59] Чендлер, Аризона, США 1.1[60] 1993 200 180
Freescale Semiconductor Oak Hill Fab[61] Остин, Техас, США .8[62] 1991 200 250
Freescale Semiconductor Sendai Fab[63] Сендай, Япония 1987 150 500
Freescale Semiconductor Toulouse Fab[64] Тулуза, Франция 1969 150 650
SMIC S1 Mega Fab[65] Шанхай, Китай 200 90 94 тыс. суммарно на S1[66]
SMIC S1 Mega Fab[65] Шанхай, Китай 200 350
SMIC S1 Mega Fab[65] Шанхай, Китай 200 90
SMIC S2[65] Шанхай, Китай 300 45/40
SMIC Fab 8 Шанхай, Китай 200 45-28 нм 15 тысяч суммарно на F8[66]
SMIC Шанхай, Китай[67] 2,25[68] 2019 14нм
SMIC B1 Mega Fab[65] Пекин, Китай 2004 300 130
SMIC B1 Mega Fab[65] Пекин, Китай 2004 300 65/55 36 тысяч суммарно на B1[66]
SMIC Fab 7[65] Тяньцзинь, Китай 2004 200 350 39 тысяч суммарно на F7[66]
SMIC Fab 7[65] Тяньцзинь, Китай 200 130
Winbond Memory Product Foundry[69] Тайчжун, Тайвань 300 90
Winbond Memory Product Foundry[69] Тайчжун, Тайвань 300 65
MagnaChip F-5[70] Чхонджу, Южная Корея 2005 200 130
ProMOS Fab 4[71][72] Тайчжун, Тайвань 1.6 300 70
Telefunken Semiconductors Heilbronn Хайльбронн, Германия 150 10,000
Telefunken Semiconductors Roseville fab[73] Розвилл, Калифорния, США 200
Hynix M7[74] Ичхон, Южная Корея 200
Hynix M8[74] Чхонджу, Южная Корея 200
Hynix M9[74] Чхонджу, Южная Корея 200
Hynix E1[74] Юджин, Орегон, США 200
Hynix HC1[74] Уси, Китай 200
Fujitsu Fab No. 1[75] Миэ, Япония 2005 300 90/65 15,000
Fujitsu Fab No. 2[75] Миэ, Япония 2007 300 90/65 25,000
Cypress Semiconductor Minnesota fab Блумингтон, Миннесота, США 65
Cypress Semiconductor Minnesota fab Блумингтон, Миннесота, США 90
Cypress Semiconductor Minnesota fab Блумингтон, Миннесота, США 130
Cypress Semiconductor Minnesota fab Блумингтон, Миннесота, США 180
Cypress Semiconductor Minnesota fab Блумингтон, Миннесота, США 250
Cypress Semiconductor Minnesota fab Блумингтон, Миннесота, США 1991 350
ON Semiconductor Gresham[76] Грешем, Орегон, США Future 200 65
ON Semiconductor Gresham[76] Грешем, Орегон, США 200 130
ON Semiconductor Pocatello[77] Покателло, Айдахо, США 200 350
ON Semiconductor Pocatello[77] Покателло, Айдахо, США 200 5000
National Semiconductor Greenock[78] Гринок, Шотландия 150 20,833
National Semiconductor South Portland[79] Саут-Портленд, Мэн, США .932 1997 350
National Semiconductor South Portland[79] Саут-Портленд, Мэн, США 250
National Semiconductor South Portland[79] Саут-Портленд, Мэн, США 180
National Semiconductor West Jordan Уэст-Джордан, Юта, США 1977 102
National Semiconductor Arlington Арлингтон, Техас, США 1985 152
Samsung Line-16[80] Хвасон, Южная Корея 2011 300 20 12,000
Samsung S2[81] Остин, Техас, США 2011 300 32 40,000
Tower Semiconductor Fab 1[82] Мигдаль-ха-Эмек, Израиль 1989 150[83] 350-1000
Tower Semiconductor Fab 2[82] Мигдаль-ха-Эмек, Израиль 2003 200[83] 130-180
Tower Semiconductor Fab 3[82] Ньюпорт-Бич, Калифорния, США 1967 200[84] 130-500 17,000
Tower Semiconductor Fab 4[82][85] Нисиваки, Япония
Tower Semiconductor Аграте-Брианца, Италия 300[83] 65
Tower Semiconductor Fab 9[86] Сан-Антонио, Техас, США 200[83] 180
TPSCo[87] (Tower Semiconductor & NTCJ) Uozu fab Уодзу, Тояма, Япония 1984 300[83] 65-45
TPSCo[87] (Tower Semiconductor & NTCJ) Tonami fab Тонами, Тояма, Япония 1994 200[83] 150-350
  • SigmaTel Inc. — американская компания по производству систем на кристалле (SoC), электроники и программного обеспечения, которая разрабатывает SoC для AV-медиаплееров/рекордеров; штаб-квартира в Остине, штат Техас. Объединилась с Freescale Semiconductor в 2008 г.
  • Apogee Electronics — американский производитель аудиоинтерфейсов и аудиоконвертеров, USB и iOS-микрофонов , а также программного обеспечения для создания звука.

Примечания

  1. ↑ 1 2 3 4 5 6 Semiconductor Market Update Russia – Nov 2012 (англ.). SEMI Europe (ноябрь 2012). Дата обращения: 3 декабря 2013. Архивировано из оригинала 25 октября 2013 года.
  2. ↑ 1 2 3 «Микрон» и наследник мощностей «Ангстрема-Т» сплотились для выпуска «суверенных» чипов карт «Мир» и биометрических паспортов. CNews.ru. Дата обращения: 5 октября 2022. Архивировано 5 октября 2022 года.
  3. ↑ «Ангстрем-Т» банкрот. Признано официально. https://www.cnews.ru/ (28 октября 2019). Дата обращения: 6 ноября 2019. Архивировано 30 октября 2019 года.
  4. ↑ Анастасия Степанова. Завод микроэлектроники «Ангстрем-Т» — банкрот: как же бюджетные миллиарды? regnum.ru (5 ноября 2019). Дата обращения: 6 ноября 2019. Архивировано 17 апреля 2020 года.
  5. ↑ Перезапущенный случай. «Коммерсантъ» (23 июня 2021). Дата обращения: 24 декабря 2021. Архивировано 24 декабря 2021 года.
  6. ↑ 1 2 3 4 Годовой отчет Открытого акционерного общества «Ангстрем-Т» за 2008 год Архивная копия от 15 января 2014 на Wayback Machine, 30.05.2008,
    Оригинальный текст (рус.)
    предприятие предназначено для производства интегральных схем на пластинах диаметром 200 мм с использованием современных технологических процессов с минимальными проектными нормами 130—110 нм. … Общая стоимость проекта составляет около 45 млрд рублей.
  7. ↑ Фабрика Ангстрем-Т введена в коммерческую эксплуатацию. Дата обращения: 7 августа 2016. Архивировано из оригинала 10 августа 2016 года.
  8. ↑ 1 2 Производственная база / Кристальное производство Архивная копия от 13 января 2013 на Wayback Machine // Ангстрем
  9. ↑ David Manners, ST, Mikron to finish 90nm jv fab this year // Electronics Weekly, 1 March 2011
  10. ↑ Роснано и СИТРОНИКС, 2012.
  11. ↑ JSC Mikron, Experience of 90nm technology transfer and facilities upgrade Архивная копия от 25 мая 2015 на Wayback Machine // Andrey Golushko (JSC Mikron), Semicon Russia Conference, May 2012 (англ.)
  12. ↑ Портфельная компания РОСНАНО, 2013.
  13. ↑ О компании. Дата обращения: 28 февраля 2018. Архивировано 24 августа 2018 года.
  14. ↑ Производственные технологии. Дата обращения: 28 февраля 2018. Архивировано 24 августа 2018 года.
  15. ↑ в среду открыл в Томске завод радиоэлектроники
  16. ↑ Источник. Дата обращения: 29 марта 2019. Архивировано 29 марта 2019 года.
  17. ↑ Микрон консолидирует производства микроэлектроники: в состав группы вошел завод «Светлана-Полупроводники». Дата обращения: 18 апреля 2022. Архивировано 2 июля 2019 года.
  18. ↑ АО «ВЗПП-С» - Воронежский завод полупроводниковых приборов. Дата обращения: 29 марта 2019. Архивировано 29 марта 2019 года.
  19. ↑ Синтез Микроэлектроника. Дата обращения: 29 марта 2019. Архивировано 29 марта 2019 года.
  20. ↑ Источник. Дата обращения: 19 апреля 2019. Архивировано 16 января 2022 года.
  21. ↑ Техперевооружение кластера микроэлектроники планируют завершить к 2020 году. | Infopro54 - Новости Новосибирска. Новости Сибири. Дата обращения: 19 апреля 2019. Архивировано 19 апреля 2019 года.
  22. ↑ Источник. Дата обращения: 19 апреля 2019. Архивировано 19 апреля 2019 года.
  23. ↑ Продукция АО «Протон». Дата обращения: 19 апреля 2019. Архивировано 19 апреля 2019 года.
  24. ↑ Главная. Дата обращения: 19 апреля 2019. Архивировано 19 апреля 2019 года.
  25. ↑ Российские космические системы — Лидер космического приборостроения России. Дата обращения: 19 апреля 2019. Архивировано 17 апреля 2019 года.
  26. ↑ Архивированная копия. Дата обращения: 19 апреля 2019. Архивировано из оригинала 2 января 2018 года.
  27. ↑ Источник. Дата обращения: 19 апреля 2019. Архивировано 19 апреля 2019 года.
  28. ↑ Источник. Дата обращения: 19 апреля 2019. Архивировано 19 апреля 2019 года.
  29. ↑ Источник. Дата обращения: 19 апреля 2019. Архивировано 19 апреля 2019 года.
  30. ↑ Section 1 WORLDWIDE IC INDUSTRY ECONOMIC UPDATE AND FORECAST Архивная копия от 28 мая 2015 на Wayback Machine of STATUS 1997 // Integrated Circuit Engineering Corporation, ISBN 1-877750-56-5, pages 1-38, 1-40, 1-41, 1-42, (англ.)
    Оригинальный текст (англ.)
    Integral — has the only operational class 10 facility in the former USSR, … unable to operate effectively below 1.5µm resolution. Until Angstrem, it was also the only former East European plant capable of processing 150mm wafers.
  31. ↑ Smith, Sonnenfeld, Pellow, 2006,
    Оригинальный текст (англ.)
    By the mid-1990s, the main Belorussian semiconductor consortium, Integral, was the largest Eastern European semiconductor company. All six key plants were based in Minsk
    .
  32. ↑ 1 2 Russia's Technology Industry Enters New Era (англ.). SEMI. 2008. Архивировано 23 сентября 2015. Дата обращения: 28 мая 2015.
    Оригинальный текст (англ.)
    5. ... state-funded semiconductor manufacturing project is planned at Integral, Belarus. The project is a CMOS process with technology level at 0.35 micron, wafer size of 200 mm, and initial production volume of 1,000 wafers per month with planned expansion up to 2,000 per month
    .
  33. ↑ Интеграл, 2010.
  34. ↑ INTEGRAL Joint Stock Company. Архивная копия от 28 мая 2015 на Wayback Machine // INTEGRAL, 2012: «Production capacities. Wafer fabs», слайды 5, 6 (англ.)
  35. ↑ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 Intel Global Manufacturing Facts Архивная копия от 24 января 2013 на Wayback Machine, 2011
  36. ↑ Intel Announces Multi-Billion-Dollar Investment in Next-Generation Manufacturing in U.S. Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 28 октября 2011 года.
  37. ↑ Intels $3 Billion Fab Now Open for Business
  38. ↑ [PRESS KIT — Fab 32 (англ.). Дата обращения: 5 января 2014. Архивировано 4 октября 2013 года. PRESS KIT — Fab 32 (англ.)]
  39. ↑ Intel to Invest More than $5 Billion to Build New Factory in Arizona. Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 5 ноября 2011 года.
  40. ↑ Intel's new $5 billion plant in Arizona has Obama's blessing. https://www.usatoday.com.+Дата обращения: 03/28/201. Архивировано 27 октября 2012 года.
  41. ↑ Intel наконец запустила масштабное 10-нм производство на новой фабрике Fab 42, которая строилась 9 лет Архивная копия от 3 ноября 2020 на Wayback Machine. 3DNews, 07.10.2020
  42. ↑ Intel Opens $2.5 Billion Fab Plant in China (недоступная ссылка)
  43. ↑ Exports and local development … — Patricia Ann Wilson Архивная копия от 23 марта 2017 на Wayback Machine: Motorola Plant Reference in a book
  44. ↑ 1 2 3 300mm Manufacturing Архивная копия от 4 мая 2012 на Wayback Machine // GlobalFoundries
  45. ↑ World's Most Advanced Semiconductor Foundry To Use GE's Water Purification System. The Street. 14 июня 2010. Архивировано 11 октября 2012. Дата обращения: 1 июня 2011.
  46. ↑ 1 2 3 200mm. Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 4 мая 2012 года.
  47. ↑ 200mm. Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 4 мая 2012 года.
  48. ↑ Cooper, Robin K. (24 мая 2011). GlobalFoundries to build Abu Dhabi plant in 2012. Архивировано 2 июня 2011. Дата обращения: 7 ноября 2011.
  49. ↑ Fab Locations. Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата обращения: 21 апреля 2012. Архивировано 8 сентября 2018 года.
  50. ↑ 1 2 TSMC Acquires PSC Land for New Fab Construction. Taiwan Economic News. 13 января 2011. Архивировано 24 июля 2011. Дата обращения: 13 января 2011.
  51. ↑ Intel, Micron open US$3 billion NAND flash facility in Singapore. DigiTimes. 11 апреля 2011. Архивировано 6 августа 2020. Дата обращения: 11 апреля 2011.
  52. ↑ About NXP. Дата обращения: 25 сентября 2012. Архивировано 4 октября 2012 года.
  53. ↑ IBM's Cutting-Edge $2.5 Billion Fab Reaps $500 Million in NY Incentives. The Site Selection. 1 ноября 2000. Архивировано 7 сентября 2011. Дата обращения: 16 апреля 2011.
  54. ↑ IBM's $2.5B fab turns Hudson into silicon valley. EE Times. 5 августа 2002. Архивировано 3 октября 2012. Дата обращения: 27 мая 2011.
  55. ↑ 1 2 3 4 5 6 300mm Wafer Fabrication Архивная копия от 28 мая 2015 на Wayback Machine // Colleges of Nanoscale Science and Engineering
  56. ↑ 200mm Wafer Fabrication. Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано из оригинала 25 декабря 2010 года.
  57. ↑ 1 2 Foundry Services. Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано из оригинала 20 июля 2011 года.
  58. ↑ Freescale Austin Technology & Manufacturing Center. Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 12 октября 2011 года.
  59. ↑ Freescale Chandler Fab. Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 12 октября 2011 года.
  60. ↑ Motorola Restarts MOS 12 Facility Expansion. Electronic News. 1999. Архивировано из оригинала 8 июля 2012. Дата обращения: 6 октября 2011.
  61. ↑ Freescale Oak Hill Fab. Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 12 октября 2011 года.
  62. ↑ R & D Collaboration on Trial: The Microelectronics and Computer Technology Corporation. Harvard Business School Press. 1994. Архивировано 10 июля 2015. Дата обращения: 6 октября 2011.
  63. ↑ Freescale Sendai Fab. Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 12 октября 2011 года.
  64. ↑ Freescale Toulouse Fab. Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 12 октября 2011 года.
  65. ↑ 1 2 3 4 5 6 7 8 SMIC — Fab Information. Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано из оригинала 27 ноября 2011 года.
  66. ↑ 1 2 3 4 Win-Win Collaboration & Partnership in Semiconductor Ecosystem From Foundry Perspective Архивная копия от 7 марта 2016 на Wayback Machine / GSA Forum at SEMICON Japan 2013, Dr. TY Chiu (CEO SMIC), page 25
  67. ↑ Китай срывает планы США. Страна начала импортонезависимое производство чипов по современным нормам. CNews.ru. Дата обращения: 20 сентября 2022. Архивировано 20 сентября 2022 года.
  68. ↑ Webmaster. SMIC взяла на себя массовое производство SoC для HiSilicon на 14-нм техпроцессе FinFET | THG.RU. www.thg.ru (22 июля 2017). Дата обращения: 20 сентября 2022. Архивировано 20 сентября 2022 года.
  69. ↑ 1 2 Memory Product Foundry. Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано из оригинала 8 октября 2011 года.
  70. ↑ MagnaChip ups capex, tips 130-nm process (недоступная ссылка)
  71. ↑ ProMOS Goes for 70nm DRAM. SOFTPEDIA. 13 августа 2007. Архивировано 18 октября 2012. Дата обращения: 27 мая 2011.
  72. ↑ Record fab construction reached in second quarter, says report. EE Times. 2 июля 2004. Архивировано 3 октября 2012. Дата обращения: 31 мая 2011.
  73. ↑ Renesas sells U.S. fab to Telefunken. EE Times. 30 марта 2011. Дата обращения: 31 мая 2011.
  74. ↑ 1 2 3 4 5 Hynix to Accelerate Retirement of 200mm Fabrication Plants (недоступная ссылка)
  75. ↑ 1 2 Fujitsu to Construct New Fab for Logic Chips Employing 65nm Process Technology and 300mm Wafers. Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 3 апреля 2012 года.
  76. ↑ 1 2 Gresham, USA. Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 5 декабря 2011 года.
  77. ↑ 1 2 Pocatello, USA. Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 16 августа 2011 года.
  78. ↑ Greenock, Scotland. Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 26 октября 2011 года.
  79. ↑ 1 2 3 South Portland, Maine. Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано из оригинала 20 июня 2011 года.
  80. ↑ SAMSUNG, 2011.
  81. ↑ Samsung's Austin Logic Line Breaks Record Achievements. Samsung. 5 декабря 2011. Архивировано 12 мая 2012. Дата обращения: 18 мая 2012.
  82. ↑ 1 2 3 4 TowerJazz Manufacturing. Дата обращения: 25 сентября 2012. Архивировано 14 июня 2012 года.
  83. ↑ 1 2 3 4 5 6 Manufacturing Overview - Tower Semiconductor (амер. англ.). towersemi.com (18 января 2018). Дата обращения: 1 сентября 2022. Архивировано 26 июля 2022 года.
  84. ↑ GSA, 2009, с. 85.
  85. ↑ Фабрика куплена у Micron в 2011 и закрыта в 2014. TowerJazz Reports Best Results in the History of the Company - Tower Semiconductor (амер. англ.). towersemi.com (13 февраля 2017). Дата обращения: 1 сентября 2022. Архивировано 1 сентября 2022 года.
  86. ↑ "TowerJazz Completes Acquisition of Maxim's Fabrication Facility in San Antonio, Texas" (PDF). Февраль 2016. Архивировано (PDF) 22 июня 2023. Дата обращения: 1 сентября 2022.
  87. ↑ 1 2 TPSCo Overview and History - Tower Semiconductor (амер. англ.). towersemi.com (7 апреля 2021). Дата обращения: 1 сентября 2022. Архивировано 22 августа 2022 года.

Литература

Ссылки

Эта статья взята у (из) Википедия. Текст лицензируется по Creative Commons Attribution-Share Alike 4.0. К медиа файлам могут применятся дополнительные условия.