Сульфид-иодид висмута
| Сульфид-иодид висмута | |
|---|---|
| Общие | |
| Систематическое наименование |
Сульфид-иодид висмута |
| Традиционные названия | Иодид тиовисмутила |
| Хим. формула | BiSI |
| Внешний вид | серые кристаллы |
| Физические свойства | |
| Состояние | твёрдое |
| Молярная масса | 367,95 г/моль |
| Химические свойства | |
| Растворимость | |
| • в воде | нерастворим |
| • в этаноле | нерастворим |
| Классификация | |
| Рег. номер CAS | 15060-32-9 |
| PubChem | 13766272 |
| SMILES | |
| InChI | |
| ChemSpider | 57448722 |
| Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное. | |
Сульфид-иодид висмута — неорганическое соединение металла висмута с формулой BiSI, образует серые кристаллы. Сульфид-иодид висмута применим в качестве фотоанода в фотоэлектрохимических солнечных элементах[1].
Получение
Существует множество методов получения достаточно чистого сульфид-иодида висмута для его применения в качестве полупроводника. Все они, в конечном итоге, сводятся к реакции иодида висмута с сульфидом висмута(III)[1]:
Физические свойства
Сульфид-иодид висмута представляет собой тёмно-серые кристаллы. Вещество нерастворимо в воде, спиртах и большинстве органических растворителей[1].
Кристаллы сульфид-иодида висмута существуют в а и b модификациях. a-модификация характеризуется орторомбической сингоней с параметрами решётки a = 8,529, b = 4,172, c = 10,177Å, z = 4. b-модификация характеризуется гексагональной сингонией с параметрами решётки a = 15,640, b = 4,029, c = 4,029Å, z = 2/3[1].
Химические свойства
Обладает типичными химическими свойствами для смешанных солей.
Растворяется в сильных кислотах. Разлагается при нагревании[1].
Применение
По состоянию на 2026 год было проведено несколько исследований, рассматривающих сульфид-иодид висмута в качестве переспективного полупроводника n-типа, применимого в тонкоплёночных фотоэлектрохимических солнечных элементах[1].
Примечания
- ↑ 1 2 3 4 5 6 Пузикова Дарья, Дергачева Маргарита Борисовна, Хусурова Гулинур Марсовна, Леонтьева Ксения Александровна, Панченко Полина Вячеславовна. CHEMICAL DEPOSITION OF BISMUTH IODIDE SULFIDE SEMICONDUCTOR THIN FILMS (англ.) // Academic Journal of Physical and Chemical Sciences. — 2021-10-15. — Iss. 5. — P. 100–108. — ISSN 2518-1483. — doi:10.32014/2021.2518-1483.88.
Литература
- Рипан Р., Четяну И. Неорганическая химия. Химия металлов. — М.: Мир, 1971. — Т. 1. — 561 с.