PMOS

PMOS (от англ. P-channel Metal-Oxide-Semiconductor) — p-канальный МОП-транзистор, тип полупроводникового прибора, в котором управление током осуществляется через p-канал. Термин "МОП" расшифровывается как Металл-Оксид-Полупроводник. PMOS транзисторы представляют собой тип полевых транзисторов и является аналогом NMOS^[1] . На их основе строились элементы памяти, такие как Intel 1702, К505РР1^[2] . Это серия ЛИПЗ МОП с электрической записью и ультрафиолетовым стиранием. ЛИПЗ — лавинный пробой p-n-перехода обратным напряжением (до 50 В). Основной носитель — электроны, так как по технологии того времени инжектировать электроны в изолированный слой было проще. Одна ячейка памяти строилась на двух транзисторах. По теоретическим данным, ячейка могла хранить информацию до 10 лет.